收藏本站
MUBW 15-06 A7
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
50
A
50
A
I C
40
30
V GE = 17V
15V
13V
I C
40
30
V GE = 17V
15V
13V
20
11V
20
11V
10
0
9V
T J = 25 ° C
10
0
9V
T J = 125 ° C
0
1
2
3
4
V 5
0
1
2
3
4
V 5
50
A
V CE
Fig. 7 Typ. output characteristics
50
A
V CE
Fig. 8 Typ. output characteristics
I C
40
30
20
10
I F
40
30
20
10
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
V CE = 20V
0
4
6
8
10
12
14 V 16
0
1
2
V
3
V GE
Fig. 9 Typ. transfer characteristics
V F
Fig. 10 Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
20
40
   
V
A
t rr
ns
V GE 15
10
I RM
30
20
'  t rr
$ 
! 
 
5
0
0
20
40
60
V CE = 300V
I C = 15A
nC 80
10
0
0
I RM
200
400
T J = 125 ° C
V R = 300V
I F = 15A
MUBW1506A7
A/
600 800 μ s 1000
Q G
Fig. 11 Typ. turn on gate charge
? 2001 IXYS All rights reserved
-di/dt
Fig. 12 Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
6-8
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MUBW15-12A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW15-12A7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW15-12T7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW20-06A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW20-06A7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW25-06A6K MODULE IGBT CBI E1
MUBW25-06A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW25-12A7 CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.9VCE
相关代理商/技术参数
MUBW15-12A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MUBW15-12A6K 功能描述:分立半导体模块 15 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW15-12A7 功能描述:分立半导体模块 15 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW15-12AW 制造商:n/a 功能描述:_
MUBW15-12T7 功能描述:分立半导体模块 15 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW20-06A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MUBW20-06A6K 功能描述:分立半导体模块 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW20-06A7 功能描述:分立半导体模块 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: